Infineon PTF080451

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O Infineon PTF080451 é um transistor de efeito de campo (FET) de potência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

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Descrição

O Infineon PTF080451 é um transistor de efeito de campo (FET) de potência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

Especificações

Tipo de Transistor N-Channel MOSFET
Tensão Drain Source (Vds): 40V
Corrente Drain Contínua (Id) 100A
Resistência Drain Source (Rds(on)): 4.5mOhm @ Vgs=10V
Tensão Gate Source (Vgs): ±20V
Tecnologia OptiMOS™
Package PG-TDSON-8
Temperatura de Operação -55°C a +150°C
Encapsulamento Surface Mount
Aplicações Gerenciamento de energia, fontes de alimentação, automotivo

FAQ

Qual o tipo de encapsulamento do Infineon PTF080451?

O Infineon PTF080451 possui encapsulamento Surface Mount, em um package PG-TDSON-8.

Qual a faixa de temperatura de operação do PTF080451?

A temperatura de operação do PTF080451 varia de -55°C a +150°C.

Quais são as aplicações típicas do Infineon PTF080451?

O Infineon PTF080451 é projetado para aplicações como gerenciamento de energia, fontes de alimentação e automotivo.

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