O Infineon PTF080101 é um transistor LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) de potência de radiofrequência (RF) de ponta, projetado para oferecer desempenho excepcional em aplicações que exigem alta linearidade e eficiência. Como parte do renomado portfólio da Infineon, líder global em semicondutores e soluções de potência, o PTF080101 garante a confiabilidade e a robustez necessárias para os ambientes industriais mais exigentes. Sua arquitetura otimizada permite uma amplificação de sinal de RF superior, tornando-o ideal para infraestruturas de comunicação críticas e sistemas de automação avançados.
Este componente é engenhosamente construído para operar com estabilidade em frequências elevadas, entregando uma potência de saída consistente com mínima distorção. A escolha do PTF080101 reflete o compromisso com a qualidade e a inovação que a Mokka-Sensors oferece, assegurando que seus projetos atinjam novos patamares de performance e durabilidade. Sua capacidade de gerenciar picos de potência e manter a integridade do sinal o torna uma solução inestimável para aplicações onde a interrupção não é uma opção.
Projetado para longevidade e resistência, o Infineon PTF080101 integra-se perfeitamente em sistemas complexos, desde estações base de telecomunicações até equipamentos de teste de RF de alta precisão. Sua eficiência energética contribui para a redução do consumo de energia e do calor gerado, prolongando a vida útil do equipamento e diminuindo os custos operacionais. Para engenheiros e técnicos que buscam um componente confiável e de alto desempenho, o PTF080101 da Infineon representa um investimento inteligente na excelência de seus sistemas.
| Característica | Valor |
|---|---|
| Marca | Infineon |
| SKU | PTF080101 |
| Tipo de Componente | Transistor LDMOS de Potência RF |
| Potência de Saída Típica | ~80W (em frequências de operação ideais) |
| Frequência de Operação Típica | Banda L (1-2 GHz) e S (2-4 GHz), com foco em 2.3 – 2.7 GHz |
| Tensão de Dreno Típica (Vdd) | 28 V |
| Ganho de Potência Típico | 18 – 20 dB |
| Eficiência | Alta eficiência (otimizado para aplicações de RF) |
| Linearidade | Alta (otimizado para modulações complexas como LTE/5G) |
| Encapsulamento | Cerâmico, flangeado (Bolt-down) |
Aplicações Comuns:
- Estações Base de Telecomunicações (4G, LTE, 5G)
- Amplificadores de Potência para Transmissores de Rádio Profissional (PMR)
- Sistemas de Comunicação Via Satélite e Terrestre
- Equipamentos de Teste e Medição de RF de Alta Potência
- Radar de Curto e Médio Alcance
Perguntas Frequentes:
Qual é a principal vantagem do transistor LDMOS PTF080101 em comparação com outras tecnologias de transistor de potência RF?
A principal vantagem do LDMOS PTF080101 reside na sua combinação superior de alta potência de saída, excelente linearidade e eficiência energética, características cruciais para amplificadores de RF em sistemas de comunicação modernos que utilizam modulações complexas como LTE e 5G.
O PTF080101 pode ser utilizado em ambientes com variações de temperatura significativas?
Sim, o PTF080101, como outros componentes de grau industrial da Infineon, é projetado com encapsulamento robusto e características térmicas otimizadas para garantir desempenho e confiabilidade estáveis em uma ampla faixa de temperaturas de operação, tornando-o adequado para ambientes industriais com variações térmicas.
Para quais bandas de frequência este transistor é otimizado e qual sua potência típica nestas bandas?
O PTF080101 é tipicamente otimizado para as bandas de frequência L e S, com foco na faixa de 2.3 a 2.7 GHz, onde pode entregar uma potência de saída de aproximadamente 80W. Sua performance é ideal para aplicações de comunicação sem fio que operam nessas faixas, como sistemas 4G/LTE e algumas implementações 5G.