Descrição
Transistor de potência IGBT de 700V, 100A, encapsulamento EasyPACK 1B com diodo de roda livre.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 100 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 50 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 100A: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) nominal | 200 mA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Encapsulamento | EasyPACK 1B |
| Tecnologia | TrenchField IGBT4 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Resistência térmica Coletor | Case (RthJC): 0.45 K/W |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor PS100R07PE4ENG?
O transistor PS100R07PE4ENG possui encapsulamento EasyPACK 1B.
Qual a faixa de temperatura de operação do PS100R07PE4ENG?
A temperatura de operação (Tj) do PS100R07PE4ENG é de -40 a +150 °C.
Quais as especificações de tensão e corrente do PS100R07PE4ENG?
O PS100R07PE4ENG possui tensão Coletor: Emissor (Vces) de 700 V, corrente contínua de coletor (Ic) de 100 A a 25°C e 50 A a 100°C. A tensão de saturação Coletor: Emissor (Vce(sat)) a 100A é de 1.7 V. A tensão nominal Gate: Emissor (Vge) é ±20 V e a corrente nominal de Gate (Ig) é 200 mA.