Infineon IRLU120NPBF: MOSFET de Potência N-Channel 100V 10A
O IRLU120NPBF é um MOSFET de potência N-Channel fabricado pela Infineon Technologies, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho em comutação rápida. Pertencente à família HEXFET®, este transistor oferece baixa resistência de condução (Rds(on)) e capacidade de lidar com altas correntes, tornando-o ideal para uma variedade de projetos eletrônicos.
Especificações Técnicas do IRLU120NPBF:
- Tipo de MOSFET: N-Channel
- Tensão Dreno-Fonte (Vdss): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (Id) @ 25°C: 10A
- Rds(on) (Máx.) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
- Potência de Dissipação (Máx.): 48W
- Encapsulamento: IPAK (TO-251AA)
Características Principais:
O IRLU120NPBF se destaca pelas seguintes características:
- Baixa Resistência de Condução (Rds(on)): Minimiza as perdas de energia e aumenta a eficiência do circuito.
- Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas significativas com facilidade.
- Comutação Rápida: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral.
- Encapsulamento Robusto: O encapsulamento IPAK garante durabilidade e confiabilidade em diversas condições de operação.
Aplicações:
Este MOSFET de potência é indicado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Circuitos de acionamento de relés
- Sistemas de iluminação
- Aplicações automotivas
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