Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em automotivo.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 110 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id, pulse) | 800 A |
| Gate Charge (Qg) | 65 nC |
| Avaliação de Segurança | AEC-Q101 |
FAQ
Qual a temperatura de operação do MOSFET IRLR7821TRPBF?
A temperatura de operação do Infineon IRLR7821TRPBF varia de -55 °C a 175 °C.
Qual o tipo de encapsulamento e a corrente contínua máxima do IRLR7821TRPBF?
O IRLR7821TRPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263) e sua corrente contínua Drain (Id) é de 110 A.
Quais as características de proteção e certificação do IRLR7821TRPBF?
O MOSFET IRLR7821TRPBF é avaliado conforme AEC-Q101 para segurança. Possui uma tensão de Gate: Source (Vgs) de ±20 V e uma corrente pulsada Drain (Id, pulse) de 800 A.