Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 100A, com baixa resistência de condução (RDS(on)), encapsulado em TO 262.
Especificações
| Tecnologia | Logic Level |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.5 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2 V a 4 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2000 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 600 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 200 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Encapsulamento | TO-262 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRLR2905PBF?
O transistor IRLR2905PBF é encapsulado em TO-262.
Qual a tensão de gate suportada pelo IRLR2905PBF?
A tensão de Gate: Source (Vgs) do IRLR2905PBF é de ±20 V.
Qual a corrente contínua máxima suportada pelo IRLR2905PBF?
A corrente contínua de Drain (Id) do IRLR2905PBF é de 100 A.