Infineon IRLR2905PBF: MOSFET de Potência N-Channel de Alta Performance
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o Infineon IRLR2905PBF, um transistor MOSFET de canal N que oferece excelente desempenho e confiabilidade.
Especificações Técnicas do IRLR2905PBF
- Tipo de Canal: N-Channel
- Tensão Drain-Source (Vds): 55V
- Corrente de Dreno Contínua (Id): 42A
- Resistência de Estado Ligado (Rds(on)): 27mΩ
- Tensão de Threshold Gate-Source (Vgs(th)): 2V (máx)
- Dissipação de Potência (Pd): 110W
- Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
- Temperatura de Operação: -55°C a +175°C
Características e Benefícios do MOSFET IRLR2905PBF
O IRLR2905PBF é um MOSFET HEXFET® de potência que utiliza tecnologias avançadas de processamento para alcançar a menor resistência possível por área de silício. Isso resulta em menor perda de energia e maior eficiência em suas aplicações.
Este componente é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Circuitos de acionamento de carga
- Aplicações automotivas
Com sua baixa resistência de estado ligado, o IRLR2905PBF minimiza as perdas de condução, tornando-o uma escolha eficiente para aplicações de alta potência. Além disso, sua alta capacidade de corrente permite que ele acione cargas significativas com facilidade.
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