Infineon IRLR120NTRLPBF

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Infineon IRLR120NTRLPBF: MOSFET de Potência de Alta Performance

O IRLR120NTRLPBF é um MOSFET de potência N-Channel da Infineon Technologies, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Com uma tensão de ruptura de 100V e uma corrente de dreno de 10A, este transistor é ideal para uma variedade de projetos, desde fontes de alimentação chaveadas até controles de motor.

Especificações Técnicas do IRLR120NTRLPBF:

  • Tipo de Canal: N-Channel
  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
  • Corrente de Dreno (ID): 10A
  • Resistência (RDS(on)): 0.225Ω
  • Tensão de Gate Limiar (VGS(th)): 2V
  • Potência Dissipada (PD): 48W
  • Encapsulamento: DPAK
  • Tecnologia: Advanced Process Technology

Características e Benefícios do IRLR120NTRLPBF

O IRLR120NTRLPBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior em projetos eletrônicos:

  • Baixa resistência de condução (RDS(on)): Minimiza as perdas de potência e aumenta a eficiência energética.
  • Alta capacidade de corrente: Permite o controle de cargas significativas.
  • Tempo de comutação rápido: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral do circuito.
  • Encapsulamento DPAK: Robusto e compacto, ideal para aplicações com espaço limitado.
  • Tecnologia Advanced Process Technology: Garante alta confiabilidade e desempenho consistente.

Aplicações do MOSFET IRLR120NTRLPBF

Este MOSFET de potência é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Sistemas de iluminação
  • Aplicações automotivas

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