Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 6.3 A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 1.2 V (typ.) |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 26 mΩ @ Vgs = 4 V |
| Package | SOT-23 |
| Montagem | SMD (Surface Mount Device) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| RoHS | Sim |
| Encapsulamento | Tape & Reel |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IRLML6302TRPBF?
O MOSFET IRLML6302TRPBF possui encapsulamento SOT-23 e é fornecido em Tape & Reel.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRLML6302TRPBF?
A temperatura de operação do IRLML6302TRPBF varia de -55 °C a +150 °C.
Qual a tensão de limiar Gate:Source (Vgs(th)) do IRLML6302TRPBF?
A tensão de limiar Gate:Source (Vgs(th)) do IRLML6302TRPBF é de 1.2 V (típico).