Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 16 A |
| Corrente Pulsada de Drain (Idm) | 64 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 14 mΩ a Vgs = 10 V |
| Carga de Gate (Qg) | 25 nC a Vgs = 10 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 750 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 200 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 50 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Package | TO-262 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a temperatura máxima de operação do IRLL014NPBF?
A temperatura de operação do IRLL014NPBF varia de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão máxima que o IRLL014NPBF pode suportar entre o Drain e o Source?
A tensão Drain: Source (Vds) máxima suportada pelo IRLL014NPBF é de 60 V.
Qual o tipo de encapsulamento do IRLL014NPBF?
O IRLL014NPBF é encapsulado em um package TO-262.