Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 17A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 17 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.075 Ohm (Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ± 16 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V (Id=250uA) |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 68 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 150 W |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon IRL530NPBF?
O Infineon IRL530NPBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRL530NPBF?
A temperatura de operação do IRL530NPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima entre o Gate e o Source?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IRL530NPBF é de ± 16 V.