Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 40V, 110A, com encapsulamento TO 262. Projetado para aplicações de alta corrente e comutação.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 110 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm a Vgs=10V, Id=110A |
| Encapsulamento | TO-262 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 440 A |
| Carga de Gate (Qg) | 100 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon IRL1004SPBF?
O Infineon IRL1004SPBF possui encapsulamento TO-262.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRL1004SPBF?
A temperatura de operação do IRL1004SPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são os valores de tensão e corrente suportados pelo IRL1004SPBF?
O IRL1004SPBF suporta tensão Drain-Source (Vds) de 40V e corrente contínua de Drain (Id) de 110A. A corrente de Drain pulsada (Idm) é de 440A. A tensão Gate-Source máxima (Vgs) é ±20V.