Descrição
Transistor IGBT de alta tensão da família IRGPH, projetado para aplicações de alta frequência e alta potência.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 40 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 120 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 40A, 15V: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) Máxima | 1.2 A |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +175°C |
| Package | TO-247 |
| Frequência de Chaveamento | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores, controle de motor |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo IRGPH40F?
O transistor IRGPH40F suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 600 V.
Quais as temperaturas de operação do IRGPH40F e qual o seu encapsulamento?
A temperatura de operação (Tj) do IRGPH40F varia de -40°C a +175°C e ele possui encapsulamento TO-247.
Quais são algumas aplicações típicas do IRGPH40F?
O IRGPH40F é utilizado em fontes de alimentação, inversores e controle de motor.