Descrição
Transistor IGBT de alta tensão para aplicações de alta frequência, com diodo de roda livre integrado.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
|---|---|
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 30 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 120 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 30A, 15V: 1.7 V |
| Tecnologia Trench Field | Stop IGBT |
| Package | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, controle de motor. |
Recursos
- Diodo de Roda Livre Integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRGP30B60KD-EP pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 600 V.
Em quais temperaturas o IRGP30B60KD-EP pode operar?
A faixa de temperatura de operação do IRGP30B60KD-EP é de -40°C a +150°C.
Quais são algumas aplicações típicas do IRGP30B60KD-EP?
Este transistor IGBT é comumente usado em fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e controle de motor.