Transistor IGBT IRGP30B60KD-EP Infineon
Procurando por um transistor IGBT de alta qualidade e desempenho excepcional? Apresentamos o IRGP30B60KD-EP da Infineon, um componente eletrônico de potência que oferece confiabilidade e eficiência para suas aplicações.
Especificações Técnicas do IRGP30B60KD-EP:
- Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): 600V
- Corrente de Coletor (IC): 30A
- Dissipação de Potência (PD): 304W
- Tempo de Curto-Circuito (tsc): > 10µs
- Encapsulamento: TO-247AD
- Fabricante: Infineon Technologies
Características do IRGP30B60KD-EP:
O IRGP30B60KD-EP é um transistor IGBT de última geração que combina as vantagens dos transistores bipolares e MOSFETs. Ele oferece:
- Baixa queda de tensão (VCE(on))
- Alta velocidade de comutação
- Excelente capacidade de manuseio de corrente
- Robustez e confiabilidade
Aplicações do Transistor IGBT:
Este transistor IGBT é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Inversores de frequência
- Controles de motor
- Sistemas de aquecimento por indução
- Soldagem
- Aplicações automotivas
Benefícios do IRGP30B60KD-EP:
Ao escolher o IRGP30B60KD-EP, você se beneficia de:
- Alta eficiência energética
- Redução de perdas de potência
- Melhor desempenho do sistema
- Maior confiabilidade e durabilidade
Encontre o IRGP30B60KD-EP na Mokka Sensors:
A Mokka Sensors oferece o transistor IGBT IRGP30B60KD-EP da Infineon. Entre em contato conosco para mais informações sobre o produto e disponibilidade.
Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IRGP30B60KD-EP e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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