Infineon IRG8P60N120KDPBF

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Infineon IRG8P60N120KDPBF: Transistor IGBT de Alta Potência

O IRG8P60N120KDPBF da Infineon é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de alta potência que exigem desempenho e confiabilidade excepcionais. Com recursos avançados e tecnologia de ponta, este componente oferece comutação rápida, baixas perdas e excelente robustez, tornando-o ideal para uma ampla gama de projetos eletrônicos.

Especificações Técnicas do IRG8P60N120KDPBF:

  • Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
  • Corrente de coletor (IC): 100A
  • Dissipação de potência (PD): 420W
  • Tempo de desligamento típico (tf): 36ns
  • Configuração: Single
  • Tecnologia: IGBT de 8ª Geração
  • Encapsulamento: TO-247AC-3

Recursos e Benefícios:

O IRG8P60N120KDPBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de projeto:

  • Alta capacidade de corrente: Permite o controle de cargas significativas com eficiência.
  • Baixas perdas de condução: Minimiza a dissipação de energia e aumenta a eficiência geral do sistema.
  • Comutação rápida: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho em aplicações de alta frequência.
  • Robustez e confiabilidade: Construído para suportar condições operacionais exigentes, garantindo longa vida útil e operação confiável.
  • Tecnologia de ponta: A 8ª geração de IGBTs da Infineon oferece desempenho e eficiência líderes do setor.

Aplicações:

Este transistor IGBT é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Inversores solares
  • Controladores de motor
  • Sistemas de aquecimento por indução
  • Soldagem

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