Descrição
Transistor IGBT de alta tensão e corrente da família IRG4PC, projetado para aplicações de comutação rápida.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 50 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 25 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) a 25°C |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V (máximo) |
| Corrente de Gate (Ig) | ±250 mA (máximo) |
| Tempo de Subida (tr) | 25 ns (típico) |
| Tempo de Descida (tf) | 70 ns (típico) |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 1300 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coes) | 150 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Cres) | 25 pF (típico) |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRG4PC50UDPBF?
O IRG4PC50UDPBF possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG4PC50UDPBF?
A temperatura de operação do IRG4PC50UDPBF varia de -55°C a +150°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Emissor do IRG4PC50UDPBF?
A tensão de Gate-Emissor (Vge) máxima do IRG4PC50UDPBF é ±20 V.