Descrição
Transistor IGBT de alta velocidade com diodo, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 20 A |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C | 12 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 20A, 15V: 1.75 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) para ligar: 5 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 250 mA |
| Tempo de Subida (tr) | 25 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 100 ns |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores, controle de motor |
Recursos
- Diodo de Recuperação Rápida Integrado
FAQ
Qual o encapsulamento do IRG4PC30KDPBF?
O IRG4PC30KDPBF possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG4PC30KDPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRG4PC30KDPBF é de -40°C a 150°C.
Quais são as aplicações típicas do IRG4PC30KDPBF?
As aplicações típicas do IRG4PC30KDPBF incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores e controle de motor.