Infineon IRG4BC30UPBF: Transistor IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes
O IRG4BC30UPBF da Infineon é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) robusto e versátil, projetado para atender às demandas de uma variedade de aplicações de alta potência. Com recursos avançados e desempenho excepcional, este componente se destaca em projetos que exigem alta velocidade de comutação, baixa perda de energia e confiabilidade robusta. Descubra como o IRG4BC30UPBF pode elevar seus projetos a um novo patamar.
Especificações Técnicas do IRG4BC30UPBF
Este transistor IGBT oferece uma combinação impressionante de características elétricas, tornando-o ideal para uma ampla gama de aplicações. Confira as principais especificações:
- Tensão coletor-emissor (VCE): 600V
- Corrente de coletor (IC): 23A
- Dissipação de potência (PD): 100W
- Tempo de desligamento típico (tf): 33ns
- Encapsulamento: TO-220AB
Aplicações do Transistor IRG4BC30UPBF
Graças à sua robustez e desempenho, o IRG4BC30UPBF encontra aplicações em diversos setores, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Inversores solares
- Controles de motor industriais
- Sistemas de aquecimento por indução
- Soldagem
Benefícios do IRG4BC30UPBF
O IRG4BC30UPBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha inteligente para seus projetos:
- Alta velocidade de comutação, resultando em menor perda de energia e maior eficiência.
- Baixa resistência no estado ligado (VCE(sat)), minimizando a dissipação de calor.
- Excelente capacidade de manuseio de corrente, permitindo o uso em aplicações de alta potência.
- Encapsulamento TO-220AB robusto, garantindo confiabilidade e durabilidade em ambientes desafiadores.
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Observação: As informações fornecidas nesta descrição são para fins informativos. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as especificações completas e detalhes do produto.
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