Descrição
Transistor IGBT de alta velocidade com diodo de recuperação rápida, projetado para aplicações de fonte de alimentação comutada e controle de motor.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 20 A |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C | 10 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) a 20 A, Vge=15V |
| Tempo de Subida (tr) | 25 ns (típico) |
| Tempo de Descida (tf) | 70 ns (típico) |
| Package | TO-220AB |
| Encapsulamento | Lead-free |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação comutada (SMPS), controle de motor, iluminação |
| Corrente de Pico (Icm) | 80 A |
Recursos
- Diodo de Recuperação Rápida Integrado
FAQ
Qual o encapsulamento do IRG4BC30UPBF?
O IRG4BC30UPBF possui encapsulamento TO-220AB e é lead-free.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG4BC30UPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRG4BC30UPBF é de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do IRG4BC30UPBF?
As aplicações típicas do IRG4BC30UPBF incluem fontes de alimentação comutada (SMPS), controle de motor e iluminação. Possui um diodo de recuperação rápida integrado.