Descrição
Transistor IGBT de alta velocidade com diodo rápido integrado, projetado para aplicações de fonte de alimentação e controle de motor.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 20 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 80 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 20A, 15V: 2.0 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Gate | Emissor (Vge(th)): 5.0 V (típico) |
| Package | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores, controle de motor |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado
- Baixa perda de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo IRG4BC20UDPBF?
O transistor IGBT IRG4BC20UDPBF suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 600 V.
Em que faixa de temperatura o IRG4BC20UDPBF pode operar?
O IRG4BC20UDPBF opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 150°C.
Quais são as aplicações típicas do IRG4BC20UDPBF?
As aplicações típicas do IRG4BC20UDPBF incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores e controle de motor. Ele também possui um diodo de ruptura rápida integrado.