Infineon IRFZ44NSTRLPBF

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Infineon IRFZ44NSTRLPBF: MOSFET de Potência N-Channel de Alta Performance

O IRFZ44NSTRLPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de alta performance, pertencente à renomada família HEXFET®. Projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade, este componente oferece excelente desempenho em comutação rápida, baixa resistência de condução (Rds(on)) e capacidade de lidar com altas correntes.

Especificações Técnicas do IRFZ44NSTRLPBF:

  • Tensão Dreno-Source (Vdss): 55V
  • Corrente de Dreno Contínua (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
  • Resistência de Condução (Rds(on)) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
  • Tensão de Gate-Source (Vgs(th)) @ Id: 4V @ 250µA
  • Carga de Gate (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Dissipação de Potência (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
  • Temperatura de Operação: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de Montagem: Montagem em Superfície
  • Encapsulamento: D2PAK

Aplicações do MOSFET IRFZ44NSTRLPBF:

Graças à sua robustez e performance, o IRFZ44NSTRLPBF é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Sistemas de gerenciamento de bateria
  • Aplicações automotivas

Benefícios do IRFZ44NSTRLPBF:

Este MOSFET da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para seus projetos:

  • Alta Eficiência: Baixa resistência de condução (Rds(on)) minimiza as perdas de energia, aumentando a eficiência geral do circuito.
  • Comutação Rápida: Permite a operação em altas frequências, reduzindo o tamanho e o peso dos componentes passivos.
  • Confiabilidade: A tecnologia HEXFET® garante robustez e longa vida útil, mesmo em condições de operação exigentes.
  • Facilidade de Uso: O encapsulamento D2PAK é compatível com técnicas de montagem em superfície, simplificando o processo de produção.

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