Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 29A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 29A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 0.045 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V a 4V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 116A |
| Carga de Gate (Qg) | 45nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFZ34NPBF?
O IRFZ34NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFZ34NPBF?
A temperatura de operação do IRFZ34NPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais as características elétricas do IRFZ34NPBF?
O IRFZ34NPBF é um transistor MOSFET de canal N com tensão Dreno-Fonte (Vds) de 60V, corrente de Dreno contínua (Id) de 29A e resistência Dreno-Fonte (RDS(on)) de 0.045 Ohm (a Vgs = 10V). Possui tensão de Threshold Gate de 2V a 4V.