Descrição
Transistor MOSFET de canal N, encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 24 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ± 16 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.075 Ohm @ Vgs = 10V, Id = 12A |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 96 A |
| Carga de Gate (Qg) | 30 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V a 4 V |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRFZ24NPBF?
O transistor IRFZ24NPBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFZ24NPBF?
O IRFZ24NPBF opera em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que o IRFZ24NPBF pode suportar no dreno?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRFZ24NPBF é de 55 V.