Infineon IRFU9024NPBF

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Transistor MOSFET de canal P, 55V, 24A, com encapsulamento D2PAK. Projetado para aplicações de alta eficiência e gerenciamento de energia.

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Descrição

Transistor MOSFET de canal P, 55V, 24A, com encapsulamento D2PAK. Projetado para aplicações de alta eficiência e gerenciamento de energia.

Especificações

Tecnologia Power MOSFET
Tipo de canal Canal P
Tensão Drain Source (Vds): 55 V
Corrente Contínua de Drain (Id) 24 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Drain Source (Rds(on)): 0.045 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -24A
Encapsulamento D2PAK (TO-263)
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Tensão de Threshold (Vgs(th)) 2 V a 4 V
Carga de Gate (Qg) 45 nC
Corrente de Drain Pulsada (Idm) 96 A
RoHS Sim

FAQ

Qual o encapsulamento do IRFU9024NPBF?

O transistor IRFU9024NPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).

Qual a faixa de temperatura de operação do IRFU9024NPBF?

A temperatura de operação do IRFU9024NPBF é de -55°C a +175°C.

Quais as características elétricas do IRFU9024NPBF?

O IRFU9024NPBF é um transistor MOSFET de canal P com tensão Drain-Source (Vds) de 55V, corrente contínua de Drain (Id) de 24A, tensão Gate-Source (Vgs) de ±20V, e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 0.045 Ohm (a Vgs = -10V, Id = -24A).

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