Descrição
Transistor MOSFET de canal N IRFU5505PBF da Infineon, projetado para aplicações de alta eficiência e com baixa resistência de condução.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 75 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5.5 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Encapsulamento | Lead-free |
| Aplicações | Fontes de alimentação, gerenciamento de bateria, automotivo |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFU5505PBF?
O IRFU5505PBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFU5505PBF?
A temperatura de operação do IRFU5505PBF varia de -55 °C a 175 °C.
Quais são as aplicações típicas do IRFU5505PBF?
As aplicações típicas do IRFU5505PBF incluem fontes de alimentação, gerenciamento de bateria e aplicações automotivas.