Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em servidores e telecomunicações.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 120 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm @ Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | TO-220 FullPAK |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id, pulse) | 480 A |
| Carga de Gate (Qg) | 100 nC @ Vgs = 10 V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFS4321PBF suporta?
O IRFS4321PBF suporta uma tensão Drain: Source (Vds) de 150 V.
Em qual faixa de temperatura o IRFS4321PBF pode operar?
O IRFS4321PBF pode operar em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Quais são as principais características do encapsulamento do IRFS4321PBF?
O IRFS4321PBF é encapsulado em um TO-220 FullPAK e é um componente RoHS Compliant.