Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 195 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.7 mOhm a 10Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Qualificação Automotiva | Sim (AEC-Q101) |
| Tipo de Canal | N |
| Encapsulamento | SMD |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFS4010TRLPBF e como ele é montado?
O IRFS4010TRLPBF utiliza o encapsulamento D2PAK (TO-263) e é montado em superfície (SMD).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFS4010TRLPBF?
O IRFS4010TRLPBF opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
Quais são as principais características elétricas do IRFS4010TRLPBF?
O IRFS4010TRLPBF é um transistor MOSFET de canal N com tensão Drain: Source (Vds) de 100 V, corrente contínua Drain (Id) de 195 A, resistência Drain: Source (Rds(on)) de 3.7 mOhm a 10Vgs e tensão Gate: Source (Vgs) de ±20 V. Ele é construído com a tecnologia OptiMOS™ 5 e possui qualificação automotiva (AEC-Q101).