Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de alta densidade de potência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 110 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id, pulse) | 800 A |
| Carga de Gate (Qg) | 100 nC |
| Carga de Drain | Source (Qoss): 45 nC |
| Carga de Gate | Drain (Qgd): 20 nC |
| RoHS | Sim |
| Tipo de Montagem | Through Hole |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFS3607TRLPBF?
O IRFS3607TRLPBF utiliza o encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFS3607TRLPBF?
O IRFS3607TRLPBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
Quais são os valores de tensão e corrente nominais do IRFS3607TRLPBF?
O IRFS3607TRLPBF possui tensão Drain-Source (Vds) de 75 V e corrente contínua Drain (Id) de 110 A.