Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 170A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3mOhm @ Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source de Limiar (Vgs(th)): 2V |
| Package | TO-263 (D2Pak) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente Pulsada Drain (Id, pulse) | 680A |
| Carga de Gate (Qg) | 110nC @ Vgs=10V |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IRFS3306PBF pode suportar?
O IRFS3306PBF, MOSFET de canal N da Infineon, possui uma tensão Drain: Source (Vds) de 60V.
Em quais temperaturas o IRFS3306PBF pode operar?
O IRFS3306PBF é projetado para operar em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Quais as características de corrente do IRFS3306PBF?
O IRFS3306PBF tem uma corrente contínua Drain (Id) de 170A e uma corrente pulsada Drain (Id, pulse) de 680A. Além disso, a sua Carga de Gate (Qg) é de 110nC @ Vgs=10V.