Descrição
Transistor MOSFET de canal P, encapsulamento DPAK, projetado para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | P-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): -200 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | -9 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| RDS(on) (Vgs = | 10V, Id = -9A): 250 mΩ (máx.) |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): -2.0 V (typ.) |
| Encapsulamento | DPAK (TO-252AA) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFR9N20DTRPBF?
O IRFR9N20DTRPBF possui encapsulamento DPAK (TO-252AA).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR9N20DTRPBF?
A temperatura de operação do IRFR9N20DTRPBF é de -55°C a +150°C.
O IRFR9N20DTRPBF é compatível com RoHS?
Sim, o IRFR9N20DTRPBF é RoHS Compliant.