Infineon IRFR9N20DTRPBF: Mosfet N-Channel de Alta Performance
O Infineon IRFR9N20DTRPBF é um transistor MOSFET canal N desenvolvido para atender aplicações que demandam eficiência e confiabilidade. Este componente é ideal para circuitos que exigem alta densidade de potência e baixa resistência de condução, como fontes de alimentação, inversores e aplicações automotivas. Na Mokka Sensors, você encontra produtos de qualidade para suas necessidades eletrônicas.
Especificações Técnicas do Infineon IRFR9N20DTRPBF
- Tecnologia: MOSFET de potência canal N.
- Tensão máxima (Vds): 200V.
- Corrente máxima de drenagem (Id): 9,3A a 25°C.
- Resistência Rds(on): 0,28 Ohm (máximo) em Vgs = 10V.
- Capacitância de entrada: 670 pF.
- Temperatura operacional: -55°C a 175°C.
- Encapsulamento: DPAK (TO-252).
- Características adicionais: Baixa capacitância de gate e rápida resposta de comutação.
Vantagens de Utilizar o IRFR9N20DTRPBF
Este modelo de transistor da Infineon oferece uma combinação de confiabilidade e eficiência energética. Graças à sua baixa resistência de condução, o IRFR9N20DTRPBF minimiza perdas de energia, sendo perfeito para sistemas que requerem alta eficiência térmica. Além disso, o encapsulamento compacto facilita a integração em projetos com restrições de espaço.
Aplicações do IRFR9N20DTRPBF
O IRFR9N20DTRPBF é amplamente utilizado em aplicações como:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS).
- Conversores DC-DC.
- Inversores de frequência.
- Sistemas automotivos.
- Circuitos de controle de motores.
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