Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência eficientes.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 110 A |
| RDS(on) @ Vgs=10V, Id=110A | 4.3 mOhm |
| RDS(on) @ Vgs=10V, Id=55A | 4.7 mOhm |
| Tensão Gate | Source (Vgs) Máxima: ±20 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 440 A |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | DPAK (TO-263) |
| Encapsulamento | Lead-free |
| Aplicações | Fontes de alimentação, gerenciamento de bateria, automotivo |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFR4105PBF?
O IRFR4105PBF possui encapsulamento DPAK (TO-263) e é lead-free.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR4105PBF?
A temperatura de operação do IRFR4105PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são as aplicações típicas do IRFR4105PBF?
O IRFR4105PBF é utilizado em fontes de alimentação, gerenciamento de bateria e aplicações automotivas.