Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, encapsulado em DPAK, ideal para aplicações de chaveamento de alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | IR (Infineon proprietary) |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 23 A |
| Corrente Pulsada de Drain (Idm) | 92 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 40 mΩ a Vgs = 10 V |
| Carga Total de Gate (Qg) | 35 nC a Vgs = 10 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 750 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 25 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Encapsulamento | DPAK (TO-263) |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFR3910TRPBF?
O IRFR3910TRPBF é encapsulado em DPAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR3910TRPBF?
A temperatura de operação do IRFR3910TRPBF varia de -55 °C a +175 °C.
Quais são os limites de tensão e corrente do IRFR3910TRPBF?
O IRFR3910TRPBF possui tensão Drain-Source (Vds) de 100 V e corrente contínua de Drain (Id) de 23 A.