Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 75V, 60A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento DPAK.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 60 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 7.3 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | DPAK (TO-263) |
| Tipo de Canal | N |
| Polaridade | Unipolar |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS | Sim |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRFR3707ZTRPBF?
O transistor IRFR3707ZTRPBF possui encapsulamento DPAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR3707ZTRPBF?
A temperatura de operação do IRFR3707ZTRPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão de Gate-Source (Vgs) máxima do IRFR3707ZTRPBF?
A tensão de Gate-Source (Vgs) máxima do IRFR3707ZTRPBF é de ±20 V.