Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 75V, 47A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento DPAK.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 75 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 47 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 16 mΩ (a 10V Vgs) |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 188 A |
| Carga de Gate Total (Qg) | 48 nC (a 10V Vgs) |
| Tempo de Subida (tr) | 12 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFR3607TRPBF?
O IRFR3607TRPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR3607TRPBF?
O IRFR3607TRPBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima de Gate e qual a tecnologia do IRFR3607TRPBF?
A tensão de Gate é de ±20 V e a tecnologia utilizada é HEXFET Power MOSFET.