Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 19A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento DPAK.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 19 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.5 mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | DPAK (TO-252) |
| Montagem | Through Hole |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS | Sim |
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) | 35 nC |
| Vgs(th) (Tensão de Limiar) | 2 V |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFR3410TRPBF?
O IRFR3410TRPBF utiliza o encapsulamento DPAK (TO-252).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR3410TRPBF?
A temperatura de operação do IRFR3410TRPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Gate-Source e o tipo de canal do IRFR3410TRPBF?
A tensão Gate-Source máxima é de ±20 V e o transistor é do tipo N-Channel.