Infineon IRFR3410TRPBF

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Infineon IRFR3410TRPBF: MOSFET de Potência N-Channel 100V

O IRFR3410TRPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de alta performance, ideal para uma variedade de aplicações que exigem alta eficiência e baixo consumo de energia. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS) de 100V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 31A, este transistor MOSFET oferece excelente desempenho em projetos de comutação de alta velocidade.

Especificações Técnicas do IRFR3410TRPBF:

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 31A
  • Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 39mΩ
  • Carga de Porta Total (Qg(tot)): 37nC
  • Tempo de Subida (tr): 35ns
  • Tempo de Descida (tf): 32ns
  • Dissipação de Potência (PD): 110W
  • Temperatura de Junção (Tj): -55°C a +175°C
  • Encapsulamento: DPAK (TO-252)

Aplicações do MOSFET IRFR3410TRPBF

Graças à sua alta eficiência e baixo consumo de energia, o IRFR3410TRPBF é uma escolha popular para diversas aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Inversores
  • Sistemas de iluminação
  • Gerenciamento de bateria

Benefícios do IRFR3410TRPBF

Este MOSFET de potência oferece uma série de benefícios que o tornam uma solução ideal para seus projetos eletrônicos:

  • Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
  • Alta velocidade de comutação, permitindo operação em altas frequências.
  • Excelente capacidade de manuseio de corrente, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
  • Encapsulamento DPAK compacto e robusto, ideal para montagem em superfície.

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