Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 110A |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 440A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.2mOhm @ Vgs=10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2300pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 600pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 200pF |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | DPAK (TO-263) |
| Montagem | SMD (Surface Mount Device) |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento e montagem do IRFR3303TRPBF?
O IRFR3303TRPBF utiliza o encapsulamento DPAK (TO-263) e é projetado para montagem SMD (Surface Mount Device).
Quais as especificações de tensão e corrente do IRFR3303TRPBF?
Este MOSFET tem uma tensão Drain: Source (Vds) de 30V, corrente contínua Drain (Id) de 110A, e corrente pulsada Drain (Idm) de 440A. A tensão Gate: Source (Vgs) é ±20V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR3303TRPBF e a tecnologia utilizada?
A temperatura de operação do IRFR3303TRPBF varia de -55°C a +175°C. Ele utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3 e possui conformidade RoHS.