Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 10A, com encapsulamento DPAK (TO 252AA). Ideal para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 10 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 12 mΩ (Vgs=10V, Id=10A) |
| Tensão de Threshold Gate (Vgs(th)) | 2 V (Id=250µA) |
| Encapsulamento | DPAK (TO-252AA) |
| Montagem | SMD (Surface Mount Device) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS Compliant | Sim |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFR2405TRLPBF e como ele é montado?
O transistor IRFR2405TRLPBF possui encapsulamento DPAK (TO-252AA) e é montado em superfície (SMD – Surface Mount Device).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR2405TRLPBF?
O IRFR2405TRLPBF opera em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Quais as características elétricas principais do IRFR2405TRLPBF?
O IRFR2405TRLPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 55V, corrente contínua Drain (Id) de 10A, e tensão Gate-Source (Vgs) de ±20V. Sua resistência Drain-Source (Rds(on)) é de 12 mΩ (Vgs=10V, Id=10A) e a tensão de Threshold Gate (Vgs(th)) é 2 V (Id=250µA).