Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 13A, com encapsulamento DPAK (TO 252). Ideal para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 13 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.075 Ohm @ Vgs = 10V |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS | Sim |
| Tipo de Montagem | Through Hole |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFR120NTRLPBF?
O IRFR120NTRLPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR120NTRLPBF?
A temperatura de operação do IRFR120NTRLPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Gate-Source e qual a corrente contínua de Drain do IRFR120NTRLPBF?
A tensão Gate-Source máxima é ±20 V e a corrente contínua de Drain (Id) é 13 A.