Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 110A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento DPAK.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain contínua (Id) | 110 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 7.5 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain pulsada (Id) | 440 A |
| Gate Charge (Qg) | 100 nC |
| Rds(on) máximo | 9.2 mOhm a 4.5V |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRFR1010ZTRPBF?
O transistor IRFR1010ZTRPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR1010ZTRPBF?
A temperatura de operação do IRFR1010ZTRPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source do IRFR1010ZTRPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRFR1010ZTRPBF é de 60 V.