Infineon IRFP9140NPBF

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O Infineon IRFP9140NPBF é um MOSFET de canal P de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência e controle.

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Descrição

O Infineon IRFP9140NPBF é um MOSFET de canal P de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência e controle.

Especificações

Tipo de Transistor MOSFET de Canal P
Tensão Dreno Fonte (Vds): -100 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) -36 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Dreno Source (Rds(on)): 0.045 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -36A
Tecnologia Power MOSFET
Encapsulamento TO-247
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Carga de Gate (Qg) 130 nC
Tempo de Subida (tr) 25 ns
Tempo de Descida (tf) 15 ns
Tensão de Limiar Gate Source (Vgs(th)): -3.0 V
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) -144 A

FAQ

Qual o encapsulamento do IRFP9140NPBF?

O Infineon IRFP9140NPBF é encapsulado em TO-247.

Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP9140NPBF?

A temperatura de operação do IRFP9140NPBF varia de -55°C a +175°C.

Quais são os principais parâmetros elétricos do IRFP9140NPBF?

O IRFP9140NPBF é um MOSFET de canal P com tensão Dreno-Fonte (Vds) de -100V, corrente de Dreno contínua (Id) de -36A, tensão Gate-Source (Vgs) de ±20V e Resistência Dreno-Source (Rds(on)) de 0.045 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -36A.

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