Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de alta corrente e alta tensão.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 500 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 120 A |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 480 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.038 Ω a Vgs = 10 V |
| Carga Total do Gate (Qg) | 230 nC a Vgs = 10 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 4600 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 600 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 30 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Package | TO-247 |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFP4568PBF pode suportar?
O transistor IRFP4568PBF suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 500 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP4568PBF?
O IRFP4568PBF opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Quais as características de corrente do IRFP4568PBF?
O IRFP4568PBF tem uma corrente contínua Drain (Id) de 120 A e uma corrente pulsada Drain (Idm) de 480 A.