Infineon IRFP4468PBF: MOSFET de Alta Eficiência
O Infineon IRFP4468PBF é um MOSFET de canal N projetado para oferecer alto desempenho em aplicações que exigem alta eficiência energética e confiabilidade. Desenvolvido pela renomada Infineon Technologies, este componente é amplamente utilizado em circuitos de potência devido às suas características técnicas excepcionais.
Principais Características
- Baixa resistência RDS(on): apenas 2,8 mΩ, garantindo eficiência superior em operação.
- Alta capacidade de corrente: suporta até 195A, ideal para aplicações que demandam alta potência.
- Alta tensão de drenagem: suporta até 75V, oferecendo versatilidade para diversas aplicações de potência.
- Encapsulamento TO-247AC: eficiente na dissipação térmica e facilidade de integração em projetos eletrônicos.
- Temperatura máxima de operação: até 175°C, permitindo desempenho confiável em ambientes desafiadores.
Aplicações Típicas
O IRFP4468PBF é amplamente empregado em conversores de energia, fontes de alimentação comutada (SMPS), inversores de frequência e outros sistemas eletrônicos que requerem eficiência energética e durabilidade. Sua baixa resistência e alta capacidade de corrente tornam-no uma escolha confiável para engenheiros e projetistas.
Por Que Escolher o IRFP4468PBF?
Este modelo combina tecnologia de ponta com a qualidade que você espera de uma marca líder como Infineon. Seja em projetos industriais, automotivos ou até mesmo em aplicações de consumo, o IRFP4468PBF entrega desempenho consistente e duradouro. Suas especificações garantem um desempenho superior em uma ampla gama de aplicações.
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Especificações Técnicas Resumidas
- Tipo: MOSFET de canal N
- Resistência RDS(on): 2,8 mΩ
- Corrente máxima: 195A
- Tensão máxima: 75V
- Encapsulamento: TO-247AC
- Temperatura de operação: até 175°C
Otimize seus projetos com o IRFP4468PBF. Com tecnologia avançada e alta eficiência, este componente é a escolha certa para atender às suas necessidades eletrônicas.
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