Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série IRF, otimizado para aplicações de alta corrente e com baixa resistência de condução.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 195 A |
| Corrente Pulsada de Drain (Idm) | 780 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.7 mΩ (Vgs=10V, Id=75A) |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V (Id=250µA) |
| Potência Dissipada (Pd) | 300 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Polaridade | Canal N |
| Carga de Gate (Qg) | 170 nC (Vgs=10V) |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFP4468PBF?
O IRFP4468PBF é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP4468PBF?
A temperatura de operação do IRFP4468PBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source do IRFP4468PBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRFP4468PBF é de 200 V.