Infineon IRFP4229PBF: MOSFET de Potência N-Channel para Aplicações Exigentes
O IRFP4229PBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de alta performance, projetado para atender às demandas de uma variedade de aplicações, desde fontes de alimentação chaveadas até controles de motor e drivers de LED. Com características avançadas e um encapsulamento robusto TO-247AC, este componente oferece confiabilidade e eficiência para seus projetos eletrônicos.
Especificações Técnicas do IRFP4229PBF
Este MOSFET se destaca por suas especificações que o tornam ideal para aplicações de alta potência e alta frequência:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 250V
- Corrente de Dreno (ID): 44A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 46mΩ @ VGS = 10V
- Capacitância de Entrada (Ciss): 2800pF
- Dissipação de Potência (PD): 310W
- Encapsulamento: TO-247AC
Recursos e Benefícios do IRFP4229PBF
O IRFP4229PBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para seus projetos:
- Baixa Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
- Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas de alta potência.
- Tempo de Comutação Rápido: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho em altas frequências.
- Encapsulamento TO-247AC: Robusto e com excelente dissipação térmica, ideal para aplicações de alta potência.
- Tecnologia Avançada: O IRFP4229PBF utiliza a mais recente tecnologia de processamento para garantir alta confiabilidade e desempenho.
Aplicações do MOSFET IRFP4229PBF
Graças à sua versatilidade, o IRFP4229PBF pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controles de motor
- Drivers de LED de alta potência
- Inversores
- Sistemas de energia solar
- Aplicações automotivas
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