Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de alta corrente e alta tensão.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 110 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 12 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3800 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1000 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 400 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Package | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IRFP4229PBF pode suportar?
O IRFP4229PBF suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 200 V.
Em qual faixa de temperatura o IRFP4229PBF pode operar?
O IRFP4229PBF pode operar em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Qual a corrente contínua máxima que o IRFP4229PBF pode conduzir e qual o encapsulamento?
A corrente contínua máxima (Id) do IRFP4229PBF é de 110 A, e ele possui encapsulamento TO-247.