Infineon IRFP4227PBF – Transistor MOSFET de Alta Eficiência
O Infineon IRFP4227PBF é um transistor MOSFET de canal N amplamente utilizado em aplicações de alta potência. Este componente é reconhecido por sua eficiência e confiabilidade, sendo ideal para projetos que exigem desempenho consistente em circuitos eletrônicos robustos.
Características Técnicas do Infineon IRFP4227PBF
Com especificações avançadas, o IRFP4227PBF é projetado para oferecer desempenho superior em uma ampla variedade de aplicações. Abaixo, destacamos suas principais características técnicas:
- Tensão Máxima de Dreno-Fonte (VDS): 200V
- Corrente Máxima de Dreno (ID): 71A
- Resistência RDS(on): 22mΩ
- Potência Máxima Dissipada: 300W
- Temperatura Operacional: -55°C a 175°C
- Encapsulamento: TO-247AC
- Tipo de Canal: N
Aplicações Típicas
Este transistor MOSFET é amplamente aplicado em setores como energia renovável, sistemas de potência e equipamentos industriais. Algumas das principais aplicações incluem:
- Fontes chaveadas de alta eficiência
- Controladores de motor e inversores
- Circuitos de amplificação de áudio
- Equipamentos industriais de alta potência
- Sistemas de energia solar e eólica
Por Que Escolher o IRFP4227PBF?
O Infineon IRFP4227PBF oferece uma combinação única de baixa resistência RDS(on) e alta capacidade de corrente, tornando-o uma escolha confiável para projetos que exigem eficiência energética e durabilidade. Sua construção robusta permite operar em ambientes extremos, garantindo desempenho consistente mesmo em condições desafiadoras.
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