Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de alta corrente e alta tensão.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 115 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.2 mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3400 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 700 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 250 pF |
| Corrente de Pico Drain Pulsada (Idm) | 460 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 300 W |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFP4227PBF?
O IRFP4227PBF é encapsulado em um TO-247.
Qual a temperatura de operação do IRFP4227PBF?
O IRFP4227PBF opera entre -55 °C e +175 °C.
Qual a tensão máxima Gate: Source do IRFP4227PBF?
A tensão Gate: Source (Vgs) máxima do IRFP4227PBF é ±20 V.