Infineon IRFP3710PBF: MOSFET de Potência Hexfet de Alta Performance
O IRFP3710PBF é um MOSFET de potência Hexfet de canal N de quinta geração, desenvolvido pela Infineon Technologies. Este componente de alta performance é ideal para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade, como fontes de alimentação chaveadas, inversores, controladores de motor e muito mais. Com recursos avançados e um design robusto, o IRFP3710PBF oferece excelente desempenho e longevidade.
Especificações Técnicas do IRFP3710PBF:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 57A @ TC = 25°C
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 25mΩ
- Dissipação de Potência (PD): 200W
- Encapsulamento: TO-247AC
Características Principais do IRFP3710PBF
O IRFP3710PBF da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de projeto:
- Baixa Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução, aumentando a eficiência energética.
- Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas de alta potência com facilidade.
- Tempo de Comutação Rápido: Reduz as perdas de comutação e melhora a performance geral do sistema.
- Robustez e Confiabilidade: Construído para suportar condições de operação exigentes, garantindo longa vida útil e operação confiável.
- Encapsulamento TO-247AC: Oferece excelente dissipação térmica e facilidade de montagem.
Aplicações do MOSFET IRFP3710PBF
Este MOSFET de potência é a solução ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Inversores de frequência
- Controladores de motor DC e AC
- Aplicações automotivas
- Sistemas de energia solar
- UPS (Fontes de alimentação ininterruptas)
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