Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família IRF, projetado para aplicações de alta corrente e alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 150 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 100 A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 400 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (RDS(on)): 0.012 Ohm (Vgs=10V, Id=25A) |
| Carga de Gate Total (Qg) | 160 nC (Vgs=10V) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3000 pF (Vds=25V, f=1MHz) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 750 pF (Vds=25V, f=1MHz) |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 250 pF (Vds=25V, f=1MHz) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFP3415PBF?
O IRFP3415PBF é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP3415PBF?
O IRFP3415PBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Quais são as especificações de tensão e corrente do IRFP3415PBF?
O IRFP3415PBF possui tensão Dreno-Fonte (Vds) de 150V e corrente de Dreno contínua (Id) de 100A. A corrente de dreno pulsada (Idm) é de 400A.