Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de alta corrente e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 110A |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 440A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5.2mΩ a Vgs=10V |
| Carga Gate Total (Qg) | 100nC a Vgs=10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3000pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 750pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 250pF |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | TO-247 |
| Encapsulamento | Lead-Free |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFP3206PBF?
O IRFP3206PBF possui encapsulamento TO-247 e é Lead-Free.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP3206PBF?
A temperatura de operação do IRFP3206PBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que o IRFP3206PBF suporta?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRFP3206PBF é 60V, e a tensão Gate-Source (Vgs) é ±20V.