Infineon IRFP3206PBF: MOSFET de Potência N-Channel de Alto Desempenho
O IRFP3206PBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de alto desempenho, projetado para aplicações que exigem alta corrente e baixa resistência. Com uma tensão de ruptura de 60V e uma corrente de dreno contínua de 200A, este transistor é ideal para uso em uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Inversores
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Aplicações automotivas
Especificações do IRFP3206PBF:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 200A
- Resistência On-State (RDS(on)): 3mΩ
- Tensão de Threshold de Gate (VGS(th)): 2V a 4V
- Dissipação de Potência (PD): 280W
- Encapsulamento: TO-247AC
Recursos e Benefícios:
O IRFP3206PBF oferece uma série de recursos e benefícios que o tornam uma escolha ideal para aplicações de alta potência:
- Baixa resistência On-state para reduzir perdas de condução
- Alta capacidade de corrente para lidar com cargas exigentes
- Tempo de comutação rápido para alta eficiência
- Encapsulamento TO-247AC robusto para confiabilidade
- Excelente desempenho térmico
Aplicações:
Este MOSFET de potência é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de energia solar
- Carregadores de bateria
- Controles industriais
- Eletrônica de potência
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