Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 48 A |
| Corrente Drain Pulsada (Idm) | 192 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 20 mΩ a Vgs = 10 V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 100 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2000 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 150 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFP260NPBF?
O IRFP260NPBF possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP260NPBF?
A temperatura de operação do IRFP260NPBF varia de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão máxima Drain-Source e Corrente Drain contínua do IRFP260NPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRFP260NPBF é de 150 V, e a corrente Drain contínua (Id) é de 48 A.