Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 50 A |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 200 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 24 mΩ a Vgs = 10 V |
| Carga Gate Total (Qg) | 100 nC a Vgs = 10 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 150 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Package | TO-247 |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP260MPBF?
O IRFP260MPBF opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão máxima que o IRFP260MPBF pode suportar entre o Drain e o Source?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRFP260MPBF é de 150 V.
Quais as características de corrente do IRFP260MPBF?
O IRFP260MPBF tem uma corrente contínua Drain (Id) de 50 A e uma corrente pulsada Drain (Idm) de 200 A.