Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 200V, 30A, com encapsulamento TO 247. Projetado para aplicações de alta corrente e comutação.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 30 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.055 Ohm |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente Pulsada de Drain (Idm) | 120 A |
| Carga de Gate (Qg) | 110 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Dissipação de Potência (Pd) | 300 W |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFP250NPBF?
O IRFP250NPBF possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP250NPBF?
A temperatura de operação do IRFP250NPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são os valores de tensão e corrente suportados pelo IRFP250NPBF?
O IRFP250NPBF suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 200V e uma corrente contínua de Drain (Id) de 30A. A corrente pulsada de Drain (Idm) é de 120A.