Descrição
Transistor MOSFET de potência canal N, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 68A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 272A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 17mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 4.0V @ Id = 250µA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1500pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 350pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 150pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFP044NPBF?
O IRFP044NPBF é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP044NPBF?
A temperatura de operação do IRFP044NPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima de dreno-fonte (Vds) e corrente de dreno contínua (Id) do IRFP044NPBF?
A tensão dreno-fonte (Vds) máxima do IRFP044NPBF é 60V e a corrente de dreno contínua (Id) é 68A.