Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em automotivo.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 110 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Encapsulamento | Automotive AEC-Q101 qualificado |
| Corrente Pulsada Drain (Id, pulse) | 440 A |
| Carga de Gate (Qg) | 65 nC a 10V Vgs |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V a 1mA |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFL4310TRPBF?
O IRFL4310TRPBF é encapsulado em D2PAK (TO-263) e é qualificado para o padrão automotivo AEC-Q101.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFL4310TRPBF?
O IRFL4310TRPBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão Drain-Source (Vds) e a corrente contínua Drain (Id) do IRFL4310TRPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) é de 100 V e a corrente contínua Drain (Id) é de 110 A.